一种用于大容量NandFlash坏块管理的方法及系统

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专利状态

一种用于大容量NandFlash坏块管理的方法及系统

有效

专利申请进度

申请

2020-12-25

申请公布

2021-04-06

授权

2024-03-08

预估到期

2040-12-25

专利基础信息

申请号	CN202011559841.8	申请日	2020-12-25
申请公布号	CN112612418A	申请公布日	2021-04-06
授权公布号	CN112612418B	授权公告日	2024-03-08
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	航天信息股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区杏石口路甲18号

专利法律状态

2024-03-08

授权

状态信息

授权
2022-01-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/06；申请日:20201225
2021-04-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种用于大容量NandFlash坏块管理的方法及系统，共中方法包括：将NandFlash的存储空间进行逻辑地址‑物理地址的地址映射，建立地址映射表；将地址映射的映射空间划分为数据区、坏块区和映射区；当NandFlash更新数据时，根据数据区中物理块的地址标识查找数据区中未映射状态的物理块，并且查找到的数据区中未映射状态的物理块，并判断数据区中未映射状态的物理块是否为好块；当未映射状态的物理块为好块时，向查找到的数据区中未映射状态的物理块中写入数据；将数据区中物理块的地址标识指向下一个未映射的物理块；当未映射状态的物理块为坏块时，将坏块的物理块的物理地址存储至坏块区，将坏块区中物理块的地址标识指向下一个坏块区的物理块。

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