低损耗G.652.D光纤及其制作方法

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专利状态

低损耗G.652.D光纤及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-10

申请公布

2020-12-11

授权

2022-11-04

预估到期

2040-08-10

专利基础信息

申请号	CN202010794339.9	申请日	2020-08-10
申请公布号	CN112062460A	申请公布日	2020-12-11
授权公布号	CN112062460B	授权公告日	2022-11-04
分类号	G02B6/036
分类	玻璃；矿棉或渣棉;
申请人名称	普天线缆集团有限公司
申请人地址	江西省南昌市高新技术开发区昌东大道8899号

专利法律状态

2022-11-04

授权

状态信息

授权
2020-12-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种低损耗G.652.D光纤，用VAD法制作掺氯纤芯，用OVD法在纤芯上制作掺氟的内包层，用POVD法制作掺氟的斜坡下陥包层和外包层，在线拉丝；掺氯纤芯和掺氟的内包层的粘度匹配，降低因芯/包粘度失配引起导光界面的应力而产生的光纤附加损耗，不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗，掺氯纤芯和内包层界面形成光纤的导光界面结构，斜坡型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型，与外包层形成梯度差，其界面折射率由内向外，从小到大，不形成明显的折光面。本发明低损耗G.652.D光纤及其制作方法，能够达到纤芯和包层粘度匹配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。

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