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专利状态

一种CMOSSOI射频开关电路

有效

专利申请进度

申请

2017-04-24

申请公布

2018-11-02

授权

2021-12-28

预估到期

2037-04-24

专利基础信息

申请号	CN201710271983.6	申请日	2017-04-24
申请公布号	CN108736866A	申请公布日	2018-11-02
授权公布号	CN108736866B	授权公告日	2021-12-28
分类号	H03K17/041;H03K17/687
分类	基本电子电路;
申请人名称	深圳市中兴微电子技术有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区西丽街道留仙大道中兴工业园

专利法律状态

2021-12-28

授权

状态信息

授权
2018-11-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H03K17/041；申请日:20170424
2018-11-02

公布

状态信息

公布

摘要

本文公布了一种CMOS SOI射频开关电路，包括：主NFET Stack、辅助NFET Stack、PFET Stack、第一电容以及第二电容；所述主NFET Stack和所述辅助NFET Stack的栅极分别逐级与所述PFET Stack的漏源极连接；所述主NFET Stack一端连接辅助NFET Stack和第一电容，另一端接地；所述辅助NFET Stack一端连接主NFET Stack和第二电容，另一端接地；所述PFET Stack连接控制第二偏置电压；所述CMOS SOI射频开关电路的通断状态通过第一偏置电压和第二偏置电压控制。本申请能够在不降低NFET栅极电容的前提下提高开关切换速度。

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