一种修复电压降的方法及装置

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专利状态

一种修复电压降的方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2017-06-28

申请公布

2019-01-04

授权

2023-04-18

预估到期

2037-06-28

专利基础信息

申请号	CN201710507652.8	申请日	2017-06-28
申请公布号	CN109145338A	申请公布日	2019-01-04
授权公布号	CN109145338B	授权公告日	2023-04-18
分类号	G06F30/39;G06F30/398
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	深圳市中兴微电子技术有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区西丽街道留仙大道中兴工业园

专利法律状态

2023-04-18

授权

状态信息

授权
2019-01-04

公布

状态信息

公布

摘要

一种修复电压降的方法及装置，包括：区分芯片的各功能模块，并根据区分的功能模块将芯片的存储器划分为两个或两个以上存储器分组；为划分的存储器分组分别配置相应的测试向量，以控制不同存储器分组的存储器在不同时间工作。本发明实施例降低了存储器内建自测试电路的电压降，降低了电压降对芯片性能的影响，使电压降满足芯片的设计要求。

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