微桥结构以及微测辐射热计

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专利状态

微桥结构以及微测辐射热计

有效

专利申请进度

申请

2016-06-29

授权

2017-01-11

预估到期

2026-06-29

专利基础信息

申请号	CN201620669579.5	申请日	2016-06-29
授权公布号	CN205873891U	授权公告日	2017-01-11
分类号	B81B3/00;G01J5/20
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	武汉高德红外股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号

专利法律状态

2017-01-11

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及辐射热计，提供一种微桥结构，包括衬底以及位于所述衬底上的桥腿层，所述桥腿层通过两根第一锚柱支撑于所述衬底上，还包括位于所述桥腿层正上方的桥面吸热层，所述桥面吸热层通过至少一根第二锚柱支撑于所述桥腿层上，所述桥面吸热层上开设有贯穿所述桥面吸热层的若干衍射窗口，各所述衍射窗口的尺寸小于光波的波长；还提供一种微测辐射热计，包括上述微桥结构。本实用新型的微桥结构中，桥腿层上设置有桥面吸热层，可以大大提高红外吸收率，且在桥面吸热层上还开设有若干衍射窗口，红外在各衍射窗口处产生衍射现象，进而可以缩短微桥结构对应的微测辐射热计的热响应时间。

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