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专利状态
液晶材料中间体以及液晶材料的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2015-11-10
申请公布
2017-05-17
授权
2019-04-16
预估到期
2035-11-10
专利基础信息
申请号 CN201510762923.5 申请日 2015-11-10
申请公布号 CN106674022A 申请公布日 2017-05-17
授权公布号 CN106674022B 授权公告日 2019-04-16
分类号 C07C209/68;C07C211/52;C09K19/12;C09K19/30
分类 有机化学〔2〕;
申请人名称 深圳超多维科技有限公司
申请人地址 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
专利法律状态
  • 2019-04-16
    授权
    状态信息
    授权
  • 2018-08-07
    专利申请权、专利权的转移
    状态信息
    专利申请权的转移;IPC(主分类):C07C209/68;登记生效日:20180719;变更事项:申请人;变更前:深圳超多维光电子有限公司;变更后:深圳超多维科技有限公司;变更事项:地址;变更前:518053 广东省深圳市南山区华侨城东部工业区H-1栋101;变更后:518054 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室;变更事项:申请人;变更前:深圳市墨克瑞光电子研究院
  • 2017-06-09
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):C07C209/68;申请日:20151110
  • 2017-05-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及液晶材料中间体以及该液晶材料的制备方法,该液晶材料中间体的制备方法包括:在钯催化剂作用下,将式II所示化合物、式III所示化合物和碱于醇和水的混合物中加热发生铃木反应,所述醇为C3~C8一元醇或C3~C8二元醇;在上述反应完成后,保持80~90℃静置分层,分离有机相,除去有机相中残留的碱后,在室温下静置,析出式I所示的液晶材料中间体。将所述中间体与CSCl2或CS2反应,得到异硫氰基类液晶材料。本发明可简单快速的去除催化剂及杂质、节省溶剂,达到了操作方便、获得纯度高的产物的效果。