液晶材料中间体以及液晶材料的制备方法

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专利状态

液晶材料中间体以及液晶材料的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2015-11-10

申请公布

2017-05-17

授权

2019-04-16

预估到期

2035-11-10

专利基础信息

申请号	CN201510762923.5	申请日	2015-11-10
申请公布号	CN106674022A	申请公布日	2017-05-17
授权公布号	CN106674022B	授权公告日	2019-04-16
分类号	C07C209/68;C07C211/52;C09K19/12;C09K19/30
分类	有机化学〔2〕;
申请人名称	深圳超多维科技有限公司
申请人地址	广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

专利法律状态

2019-04-16

授权

状态信息

授权
2018-08-07

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):C07C209/68；登记生效日:20180719；变更事项:申请人；变更前:深圳超多维光电子有限公司；变更后:深圳超多维科技有限公司；变更事项:地址；变更前:518053 广东省深圳市南山区华侨城东部工业区H-1栋101；变更后:518054 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室；变更事项:申请人；变更前:深圳市墨克瑞光电子研究院
2017-06-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C07C209/68；申请日:20151110
2017-05-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及液晶材料中间体以及该液晶材料的制备方法，该液晶材料中间体的制备方法包括：在钯催化剂作用下，将式II所示化合物、式III所示化合物和碱于醇和水的混合物中加热发生铃木反应，所述醇为C3～C8一元醇或C3～C8二元醇；在上述反应完成后，保持80～90℃静置分层，分离有机相，除去有机相中残留的碱后，在室温下静置，析出式I所示的液晶材料中间体。将所述中间体与CSCl2或CS2反应，得到异硫氰基类液晶材料。本发明可简单快速的去除催化剂及杂质、节省溶剂，达到了操作方便、获得纯度高的产物的效果。

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