美学正膜膜层结构和晶体硅太阳能电池

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专利状态

美学正膜膜层结构和晶体硅太阳能电池

有效

专利申请进度

申请

2023-07-05

授权

2024-02-06

预估到期

2033-07-05

专利基础信息

申请号	CN202321748358.3	申请日	2023-07-05
授权公布号	CN220456428U	授权公告日	2024-02-06
分类号	H01L31/0216;H01L31/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	天合光能股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利法律状态

2024-02-06

授权

状态信息

授权

摘要

本公开涉及一种美学正膜膜层结构和晶体硅太阳能电池。美学正膜膜层结构用于晶体硅太阳能电池的全黑组件。美学正膜膜层结构包括：美学叠层膜，所述美学叠层膜沉积于所述晶体硅太阳能电池的衬底的面向光辐照的一侧，所述美学叠层膜用于钝化和减反射。所述美学叠层膜具有多个膜层，所述多个膜层的层数大于或等于4层，所述多个膜层的每一个膜层的折射率均大于1.5，并且所述多个膜层不包含氧化硅层。

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