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专利状态
一种硅基双二极管双面太阳能电池及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-12
申请公布
2020-04-17
授权
2022-02-15
预估到期
2039-12-12
专利基础信息
申请号 CN201911273640.9 申请日 2019-12-12
申请公布号 CN111029424A 申请公布日 2020-04-17
授权公布号 CN111029424B 授权公告日 2022-02-15
分类号 H01L31/028;H01L31/068;H01L31/076;H01L31/18;H01L31/20
分类 基本电气元件;
申请人名称 中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
专利法律状态
  • 2022-02-15
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-04-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种硅基双二极管双面太阳能电池,包括底电池、隧道结和顶电池,所述底电池包括N型硅基底,以及所述N型硅基底背面依次制备的隧穿氧化层、掺磷N+‑poly‑Si薄膜层和下透明导电薄膜层,所述N型硅基底正面制备的P+掺杂层,所述隧道结包括制备在P+掺杂层上的P++微晶硅薄膜层和N++微晶硅薄膜层,所述顶电池包括依次制备P++微晶硅薄膜层上的N++微晶硅薄膜层、本征微晶硅薄膜层、P型微晶硅薄膜层和上透明导电薄膜层,所述底电池和顶电池通过隧道结串联,所述上透明导电薄膜层和所述下透明导电薄膜层分别连接上电极和下电极,所述硅基双二极管双面太阳能电池光电转换效率高,工艺成熟,工业化程度高。