一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法

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专利状态

一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-31

申请公布

2021-04-06

授权

2022-08-09

预估到期

2040-12-31

专利基础信息

申请号	CN202011630662.9	申请日	2020-12-31
申请公布号	CN112614917A	申请公布日	2021-04-06
授权公布号	CN112614917B	授权公告日	2022-08-09
分类号	H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224
分类	基本电气元件;
申请人名称	中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号

专利法律状态

2022-08-09

授权

状态信息

授权
2021-04-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，包括以下步骤：S1，在硅基底的背面沉积钝化层；S2，使用低能量激光器对钝化层照射激光，使激光照射下的钝化层形成开槽，开槽内的硅基底裸露；S3，在开槽和钝化层表面沉积保护层，保护层为氮化硅薄膜；S4，使用电子浆料烧穿开槽内的保护层，制备背电极，背电极与开槽内的硅基底接触。该PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法在沉积钝化层后立即通过低能量激光进行开槽，减少对硅基底损伤的同时降低能耗，而后沉积保护层，既实现了对钝化层的保护，还对硅基底表面和体内具有修复作用，降低复合中心，提高电池的转化效率。

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