一种多晶硅片的快速烧结设备

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专利状态

一种多晶硅片的快速烧结设备

有效

专利申请进度

申请

2019-12-24

授权

2020-08-07

预估到期

2029-12-24

专利基础信息

申请号	CN201922357955.3	申请日	2019-12-24
授权公布号	CN211199477U	授权公告日	2020-08-07
分类号	C30B35/00;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	浙江芯能光伏科技股份有限公司
申请人地址	浙江省嘉兴市海宁市皮都路9号

专利法律状态

2020-08-07

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种多晶硅片的快速烧结设备，属于机械技术领域。它解决了现有快速烧结设备的工作效率较低等技术问题。本多晶硅片的快速烧结设备，包括底座和传送带，传送带设置在底座上，其特征在于，底座上设置有吹扫结构、烧结箱体和冷却结构，吹扫结构、烧结箱体和冷却结构依次排列且位于传送带的一侧，底座上还固定有推杆电机，推杆电机位于传送带的另一侧，推杆电机的推杆水平设置，推杆电机的推杆上还固定有用于推送多晶硅片的推板，烧结箱体上固定有输送槽，输送槽穿过吹扫结构并与传送带相抵靠，所述冷却结构包括冷却箱体、吸气罩、惰性气体输送盘、吹风盘、支架和若干输送滚筒。本实用新型具有工作效率高的优点。

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