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专利状态
一种多层结构的集成电路芯片
有效
专利申请进度
申请
2022-01-28
申请公布
2022-05-03
授权
2022-12-02
预估到期
2042-01-28
专利基础信息
申请号
CN202210106227.9
申请日
2022-01-28
申请公布号
CN114429937A
申请公布日
2022-05-03
授权公布号
CN114429937B
授权公告日
2022-12-02
分类号
H01L23/373;H01L23/367;H01L23/60
分类
基本电气元件;
申请人名称
深圳卓锐思创科技有限公司
申请人地址
广东省深圳市龙华区民治街道民康路112号1970科技小镇5栋5楼509
专利法律状态
2022-12-02
授权
状态信息
授权
2022-05-03
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种多层结构的集成电路芯片,包括:多个芯片层和多个绝缘层,所述芯片层与所述绝缘层交替堆叠;每个芯片层内设置散热子层,每个芯片层在预设位置设置一个芯片,在芯片的周围设置散热子层,用于该层芯片的散热;多个芯片层通过电路连接系统形成引脚,并通过外壳将多个芯片层封装成多层结构的芯片,所述多层结构的芯片通过引脚与电路板上的焊点连接。解决多层结构的集成电路芯片散热的问题,保障高散热率,提升集成电路芯片的使用寿命。
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