一种新型三电平功率单元主电路拓扑结构

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专利状态

一种新型三电平功率单元主电路拓扑结构

有效

专利申请进度

申请

2023-06-26

授权

2023-12-15

预估到期

2033-06-26

专利基础信息

申请号	CN202321629738.5	申请日	2023-06-26
授权公布号	CN220190696U	授权公告日	2023-12-15
分类号	H02M7/483;H02M7/5387
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	希望森兰科技股份有限公司
申请人地址	四川省成都市双流区西航港开发区空港二路二段1599号

专利法律状态

2023-12-15

授权

状态信息

授权

摘要

一种新型三电平功率单元主电路拓扑结构，包括：三相输入RST、T型三电平三相整流桥、直流母线支撑电容组、T型三电平单相逆变模块、单相第一输出端O1、单相第二输出端O2；所述三相输入RST与所述T型三电平三相整流桥相连，所述T型三电平三相整流桥与所述直流母线支撑电容相连，所述直流母线支撑电容与所述T型三电平单相逆变模块相连，所述T型三电平单相逆变模块与所述单相第一输出端O1、单相第二输出端O2相连；本实用新型相较于传统I型三电平功率单元，在不增加控制难度的情况下，减少了10只钳位二极管，极大降低了系统成本、设备体积和变频器重量。

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