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专利状态
一种硅碳负极补锂极片的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2018-12-10
申请公布
2019-05-14
授权
2022-04-22
预估到期
2038-12-10
专利基础信息
申请号 CN201811502679.9 申请日 2018-12-10
申请公布号 CN109755502A 申请公布日 2019-05-14
授权公布号 CN109755502B 授权公告日 2022-04-22
分类号 H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/38;H01M4/04;H01M4/1393;H01M4/1395
分类 基本电气元件;
申请人名称 保力新能源科技股份有限公司
申请人地址 陕西省西安市高新区科技二路65号6幢10701房
专利法律状态
  • 2022-04-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-05-14
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了硅碳负极补锂极片的制备方法,所述方法包括将锂粉、硅粉、碳源及导电剂在超临界流体的氛围中保护分散制备成补锂混合物,负极活性物质、补锂物质及导电剂的配比及分散工艺;在负极集流体上涂布负极浆料,得到负极极片。本发明制备方法中,补锂混合物在超临界流体氛围中,减少了团聚发生,提高了浆料的加工稳定性,对比普通补锂工艺制备的极片,电导率提高近两倍。