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专利状态
一种用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法
有效
专利申请进度
申请
2022-06-29
申请公布
2022-09-16
授权
2023-08-22
预估到期
2042-06-29
专利基础信息
申请号 CN202210747533.0 申请日 2022-06-29
申请公布号 CN115058770A 申请公布日 2022-09-16
授权公布号 CN115058770B 授权公告日 2023-08-22
分类号 C30B25/20;C30B29/04;C30B25/12;C30B25/16;C23C16/458
分类 晶体生长〔3〕;
申请人名称 中南钻石有限公司
申请人地址 河南省南阳市方城县中南公司院内
专利法律状态
  • 2023-08-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-09-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明属于单晶金刚石制备工艺技术领域,具体涉及一种用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法。本发明针对现有技术存在的不足,提出了一种用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法,通过控制等离子球与晶种接触,并控制中心晶种与边缘晶种之间的温差,同时添加Ar提高等离子球的浓度,实现晶种单次生长数量的提高,并能够保证较高的良品率。本发明所述用于提高CVD单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法,通过对生长过程加以控制,该方法极大的提高了生产效率,解决了CVD单晶片单次生长数量少、效率低的问题,为单晶金刚石的工业化生产提供稳定保障,具有较高的发展前景和经济价值。