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专利状态
一种超材料及MRI磁信号增强器件
有效
专利申请进度
申请
2012-03-31
申请公布
2013-10-23
授权
2017-08-25
预估到期
2032-03-31
专利基础信息
申请号 CN201210093039.3 申请日 2012-03-31
申请公布号 CN103367921A 申请公布日 2013-10-23
授权公布号 CN103367921B 授权公告日 2017-08-25
分类号 H01Q15/00;A61B5/055
分类 基本电气元件;
申请人名称 深圳光启创新技术有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区高新中一道9号软件大厦2楼
专利法律状态
  • 2017-08-25
    授权
    状态信息
    授权
  • 2015-02-04
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效IPC(主分类):H01Q 15/00申请日:20120331
  • 2013-10-23
    公布
    状态信息
    公开
摘要
本发明提供一种超材料,包括多个阵列排布的超材料单元,超材料单元由基板和附着在基板上的人造微结构组成,人造微结构为两个开口互相正对的开口谐振环结构,开口谐振环结构包括单开口谐振环和从单开口谐振环的两末端点分别向环内部螺旋延伸出的两条螺旋线,两条螺旋线互不相交且均不与单开口谐振环相交,螺旋线为圆形螺旋线或圆形螺旋线的衍生结构。该超材料具有高负磁导率,基于该高负磁导率超材料,本发明还提供一种MRI磁信号增强器件,MRI磁信号增强器件利用负磁导率超材料的磁导率为负这一特性,达到信号增强的效果。