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专利状态

一种负磁导率超材料

有效

专利申请进度

申请

2012-03-01

申请公布

2013-09-11

授权

2017-12-19

预估到期

2032-03-01

专利基础信息

申请号	CN201210052606.0	申请日	2012-03-01
申请公布号	CN103296467A	申请公布日	2013-09-11
授权公布号	CN103296467B	授权公告日	2017-12-19
分类号	H01Q15/00;H01P7/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳光启创新技术有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新中一道9号软件大厦2楼

专利法律状态

2021-05-04

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01Q 15/00；专利号:ZL2012100526060；登记生效日:20210421；变更事项:专利权人；变更前权利人:深圳光启创新技术有限公司；变更后权利人:深圳光启高等理工研究院；变更事项:地址；变更前权利人:518034 广东省韶关市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B；变更后权利人:518057 广东省深圳市南山区高新中一道9号软件大厦2楼
2017-12-19

授权

状态信息

授权
2015-02-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01Q 15/00；申请日:20120301
2013-09-11

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种负磁导率超材料，包括至少一层具有负磁导率的超材料层，超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板上的多个磁性微结构，磁性微结构包括第一磁性微结构和第二磁性微结构，基板包括第一基板和第二基板，第一基板两侧分别设置有由多个第一磁性微结构构成的第一磁性微结构层和由多个第二磁性微结构构成的第二磁性微结构层，第一磁性微结构层和第二磁性微结构层上均覆有所述第二基板。本发明能有效降低超材料谐振频率，根据需要缩放磁性微结构的大小，能满足一些特殊条件下对负磁导率值的要求，具有良好的开发与应用前景。

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