一种有源箝位P沟道MOS管关断电路

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专利状态

一种有源箝位P沟道MOS管关断电路

有效

专利申请进度

申请

2017-01-06

授权

2017-09-01

预估到期

2027-01-06

专利基础信息

申请号	CN201720014065.0	申请日	2017-01-06
授权公布号	CN206461512U	授权公告日	2017-09-01
分类号	H02M1/08
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳市核达中远通电源技术股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区龙岗街道宝龙工业区宝龙大道三路4号A栋1、2楼，B栋3、4楼，C栋3、4楼，D栋

专利法律状态

2018-04-17

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H02M1/08；变更事项:专利权人；变更前:深圳市核达中远通电源技术有限公司；变更后:深圳市核达中远通电源技术股份有限公司；变更事项:地址；变更前:518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道宝龙工业区宝龙大道三路4号A栋1、2楼，B栋3、4楼，C栋3、4楼，D栋；变更后:518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道宝龙工业区宝龙大道三路4号A栋1、2楼，B栋3、4楼，C栋3、4楼，D栋
2017-09-01

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种有源箝位P沟道MOS管关断电路，包括辅助供电电源VCC、P沟道MOS管驱动信号端DRV‑P、关机信号端OFF、第一开关管Q1以及第二开关管Q2，辅助供电电源VCC依次经过第一开关管Q1、第一二极管D1、电阻电容并联电路连接P沟道MOS管驱动信号端DRV‑P，同时第一开关管Q1还通过第二开关管Q2连接关机信号端OFF，在关闭PWM控制芯片的同时，尽快通过第二二极管D2、第一开关管Q1、第一二极管D1、电阻电容等把有源箝位P沟道MOS管驱动信号灌高从而关闭有源箝位P沟道MOS管。本实用新型解决了开关电源关机波形单调以及由于关机谐振造成的原、副边开关MOS管电压应力问题。

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