一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构

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专利状态

一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构

有效

专利申请进度

申请

2021-12-28

授权

2022-08-23

预估到期

2031-12-28

专利基础信息

申请号	CN202123445534.X	申请日	2021-12-28
授权公布号	CN217282748U	授权公告日	2022-08-23
分类号	H02M7/5387;H02M1/088;H02M1/14
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳市核达中远通电源技术股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙二路36号核达中远通A座厂房1层-9层、B座1-7层、C座1-9层

专利法律状态

2022-08-23

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，包括A相半桥逆变电路、B相半桥逆变电路、C相半桥逆变电路、A相逆变电感L1、B相逆变电感L2、C相逆变电感L3及控制器，A相半桥逆变电路、B相半桥逆变电路及C相半桥逆变电路的控制端与控制器连接。本实用新型采用三相交错并联的方式，将三个逆变器集成到一个逆变器中，只需一个控制器控制，逻辑简单，控制性能更可靠，且电感感值变小，电感的体积重量都会大大减小，同时可有效减少输入电容的纹波。

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