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专利状态
一种金刚石增强碳化硅复合晶圆的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2022-04-20
申请公布
2022-07-08
授权
2022-11-29
预估到期
2042-04-20
专利基础信息
申请号 CN202210416695.6 申请日 2022-04-20
申请公布号 CN114717540A 申请公布日 2022-07-08
授权公布号 CN114717540B 授权公告日 2022-11-29
分类号 C23C16/513;C23C8/20;C23C16/02;C23C16/34;C23C16/511;C23C16/56
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 广东奔朗新材料股份有限公司
申请人地址 广东省佛山市顺德区陈村镇广隆工业园兴业八路7号
专利法律状态
  • 2022-11-29
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-07-08
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种金刚石增强碳化硅(SiC)复合晶圆的制备方法,即在真空热处理后的SiC碳极性面镀制的SiNx薄层。经微波氢等离子体处理后通入甲烷,基于氮原子逃逸和碳原子渗入实现金刚石高密度形核和C‑Si键形成。接着在降低甲烷生长金刚石的同时通入硅烷,并缓慢降低硅烷流量直至关闭,沉积SiC/金刚石复合梯度过渡层。随后重复金刚石生长通入氮气并保持1‑5min的循环过程,待金刚石达到一定厚度后关闭氮气和甲烷,在氢等离子体中缓慢降温后再升高至800‑1000℃处理后缓慢降温,最终通过抛光金刚石面实现低应力、强结合的金刚石/SiC复合晶圆材料。