避免非易失存储器过擦写的方法

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专利状态

避免非易失存储器过擦写的方法

有效

专利申请进度

申请

2018-11-30

申请公布

2019-04-05

授权

2021-05-11

预估到期

2038-11-30

专利基础信息

申请号	CN201811450860.X	申请日	2018-11-30
申请公布号	CN109584939A	申请公布日	2019-04-05
授权公布号	CN109584939B	授权公告日	2021-05-11
分类号	G11C16/34
分类	信息存储;
申请人名称	华立科技股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区五常街道五常大道181号

专利法律状态

2021-05-11

授权

状态信息

授权
2019-04-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2019-04-05

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种避免非易失存储器过擦写的方法，通过实时统计非易失Flash的擦写次数，从中锁定一些最频繁被擦写的地址，对于超过约定擦写次数的地址，可以暂时中止擦写，停止进一步对非易失Flash的损伤，同时通过通讯、显示，将异常地址上报，从而便于程序员知道问题隐患并可及时定位问题所在。通过本发明，可以在内部测试期间就发现问题，从而将隐患消灭在出厂前，降低生产成本。

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