一种直流输入过压保护电路

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专利状态

一种直流输入过压保护电路

有效

专利申请进度

申请

2018-06-04

授权

2018-12-21

预估到期

2028-06-04

专利基础信息

申请号	CN201820853399.1	申请日	2018-06-04
授权公布号	CN208272626U	授权公告日	2018-12-21
分类号	H02H9/04;H02H3/20;H02H3/06;H02M1/32;H02H7/12
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳巴斯巴科技发展有限公司
申请人地址	广东省深圳市坪山新区坪山大工业区兰竹东路8号巴斯巴产业园

专利法律状态

2018-12-21

授权

状态信息

授权

摘要

本新型涉及电路领域，一种直流输入过压保护电路，包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路；所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间，所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与接地端之间。所述耐高压MOS器件的漏极用于接入供电电源电压、源极用于连接低压电路的供电端。所述自举电路通过偏置电路获得偏置电流而将耐高压MOS器件的栅极电位抬高，使得所述耐高压MOS器件的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压。有益效果：输入过压时起作用，正常电压时间歇打开和关闭电路；过压时故障可自恢复；保护电路线路损耗低；使用器件数量少，便于集成应用，成本低。

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