一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法

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专利状态

一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法

有效

专利申请进度

申请

2006-05-18

申请公布

2006-10-25

授权

2008-01-30

预估到期

2026-05-18

专利基础信息

申请号	CN200610044192.1	申请日	2006-05-18
申请公布号	CN1851992A	申请公布日	2006-10-25
授权公布号	CN100365889C	授权公告日	2008-01-30
分类号	H01S5/183;H01S5/00;H01L21/316;H01L21/473
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州中微光电子科技有限公司
申请人地址	山东省潍坊市高新技术开发区玉清街东首中微光电子有限公司

专利法律状态

2021-07-30

专利权的保全及其解除

状态信息

专利权的保全；IPC(主分类):H01S5/183；申请日:20060518；授权公告日:20080130；登记生效日:20210706
2020-12-01

专利权的保全及其解除

状态信息

专利权保全的解除；IPC(主分类):H01S5/183；申请日:20060518；授权公告日:20080130；解除日:20200926
2017-11-07

专利权的保全及其解除

状态信息

专利权的保全；IPC(主分类):H01S5/183；申请日:20060518；授权公告日:20080130；登记生效日:20170926
2017-11-03

专利权的保全及其解除

状态信息

专利权保全的解除；IPC(主分类):H01S5/183；申请日:20060518；授权公告日:20080130；解除日:20170901
2017-03-29

专利权的保全及其解除

状态信息

专利权的保全；IPC(主分类):H01S5/183；申请日:20060518；授权公告日:20080130；登记生效日:20170301
2013-05-08

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01S5/183；变更事项:专利权人；变更前:中微光电子(潍坊)有限公司；变更后:常州中微光电子科技有限公司；变更事项:地址；变更前:261061 山东省潍坊市高新技术开发区玉清街东首中微光电子有限公司；变更后:213166 江苏省常州市武进高新区新辉路12号B-3楼；登记生效日:20130412
2008-01-30

授权

状态信息

授权
2006-12-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2006-10-25

公布

状态信息

公布

摘要

一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法：依次是将需要氧化的砷化镓晶片放置在氧化炉内腔的石墨块上，密封氧化炉，将水蒸气由氮气夹带通入到氧化炉内腔中，分三个升温时段加热氧化炉，使砷化镓晶片氧化后，关闭水蒸气通路，再经过降温时段、烘烤时段和自然冷却时段，最后关闭氮气通路，从氧化炉内取出氧化的砷化镓晶片。采用这种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法，操作过程的重复性高、稳定性好，在湿法氧化工艺过程中，开裂现象很少出现，质量稳定，成品率提高到95％以上。

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