晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法

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专利状态

晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法

有效

专利申请进度

申请

2019-04-17

申请公布

2019-08-02

授权

2022-01-25

预估到期

2039-04-17

专利基础信息

申请号	CN201910307591.X	申请日	2019-04-17
申请公布号	CN110082177A	申请公布日	2019-08-02
授权公布号	CN110082177B	授权公告日	2022-01-25
分类号	G01N1/28
分类	测量；测试;
申请人名称	宸鸿科技（厦门）有限公司
申请人地址	福建省厦门市厦门火炬高新区信息光电园阪尚路191号综合楼五楼E区

专利法律状态

2023-03-24

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G01N1/28；专利号:ZL201910307591X；登记生效日:20230313；变更事项:专利权人；变更前权利人:宸鸿科技(厦门)有限公司；变更后权利人:全德科技(厦门)有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:361006 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区信息光电园坂尚路199号；变更后权利人:361015 福建省厦门市厦门火炬高新区信息光电园阪尚路191号综合楼五楼E区
2022-01-25

授权

状态信息

授权
2019-08-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01N1/28；专利申请号:201910307591X；申请日:20190417
2019-08-02

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法其包括晶体电子元件样品制备，低电压下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态，并进一步将所述晶体电子元件样品进行角度倾斜，以对所述晶体电子元件样品基于设定条件进行加工，以减少所述晶体电子元件样品的辐照损伤。本发明所提供的方法可在不降低制样效率下实现辐照损伤层的消除或减弱，所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法还具有操作便捷、效率高等优点。

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