制备电子元件显微结构样品的方法

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专利状态

制备电子元件显微结构样品的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-16

申请公布

2020-07-31

授权

2023-09-26

预估到期

2040-04-16

专利基础信息

申请号	CN202010302228.1	申请日	2020-04-16
申请公布号	CN111474200A	申请公布日	2020-07-31
授权公布号	CN111474200B	授权公告日	2023-09-26
分类号	G01N23/2251;G01N23/2202;G01N23/2204;G01N1/36;G01N1/32
分类	测量；测试;
申请人名称	宸鸿科技（厦门）有限公司
申请人地址	福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区信息光电园坂尚路199号

专利法律状态

2023-09-26

授权

状态信息

授权
2020-08-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01N23/2251；申请日:20200416
2020-07-31

公布

状态信息

公布

摘要

本揭示内容涉及电镜样品的制备，提供了一种制备电子元件显微结构样品的方法，包含：获得电子元件样品，其包含可挠性层；经由预处理电子元件样品而获得经预处理的样品，并且经预处理的样品具有待观测区域与第一刚性层，第一刚性层位于可挠性层的下方，其中，当可挠性层位于电子元件样品的上表面时，预处理是夹埋法；或当可挠性层位于电子元件样品之内时，预处理是包埋法其包含：以树脂包埋电子元件样品；以及以离子抛光处理经预处理的样品而得到一截面样品，其中截面样品具有损伤区域和加工区域，并且在截面样品中，待观测区域位于加工区域内。

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