具有单侧接触的半导体器件及其制造方法

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专利状态

具有单侧接触的半导体器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2011-01-17

申请公布

2012-01-11

授权

2015-11-25

预估到期

2031-01-17

专利基础信息

申请号	CN201110009090.7	申请日	2011-01-17
申请公布号	CN102315160A	申请公布日	2012-01-11
授权公布号	CN102315160B	授权公告日	2015-11-25
分类号	H01L21/768;H01L23/52
分类	基本电气元件;
申请人名称	SK海力士半导体（中国）有限公司
申请人地址	江苏省无锡市无锡高新区综合保税区K7地块

专利法律状态

2020-04-03

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L 21/768；专利号:ZL2011100090907；登记生效日:20200317；变更事项:专利权人；变更前权利人:海力士半导体有限公司；变更后权利人:SK海力士半导体(中国)有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:韩国京畿道；变更后权利人:江苏省无锡市无锡高新区综合保税区K7地块
2015-11-25

发明专利权授予

状态信息

授权
2013-07-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 21/768；申请日:20110117
2012-01-11

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括：通过刻蚀衬底形成多个第一沟槽；形成覆盖每个第一沟槽的两个侧壁的第一间隔件；通过刻蚀每个第一沟槽的底部形成多个第二沟槽；形成覆盖每个第二沟槽的两个侧壁的第二间隔件；通过刻蚀每个第二沟槽的底部形成多个第三沟槽；形成覆盖多个衬底的暴露出的表面的绝缘层；以及通过选择性地去除第二间隔件形成暴露出每个第二沟槽的一个侧壁的接触。

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