钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体、其制备方法、应用及温场

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专利状态

钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体、其制备方法、应用及温场

有效

专利申请进度

申请

2021-12-13

申请公布

2022-03-29

授权

2024-02-06

预估到期

2041-12-13

专利基础信息

申请号	CN202111519867.4	申请日	2021-12-13
申请公布号	CN114250515A	申请公布日	2022-03-29
授权公布号	CN114250515B	授权公告日	2024-02-06
分类号	C30B29/22;C30B15/00;C30B15/14;G02F1/09
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	长飞光纤光缆股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道九号

专利法律状态

2024-02-06

授权

状态信息

授权
2022-04-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B29/22；申请日:20211213
2022-03-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体、其制备方法及温场。本发明提供的钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体，为立方晶系石榴石相，其中十二面体中的Gd3+（0.106nm）部分被具有较大离子半径的阳离子Ca2+（0.112nm）取代；八面体中的Ga3+（0.062nm）部分被具有较大离子半径的阳离子Mg2+（0.072nm）和Zr4+（0.075nm）取代，其晶胞参数为与掺Bi:RIG系薄膜的失配率小于0.05％，能够较好的帮助Bi:RIG系薄膜的生长。其制备方法，通过调节生长气氛、抑制Ga2O3的挥发，配合提拉法的工艺调整，避免了螺旋生长和晶体开裂的问题。本发明提供的用于制备所述钙镁锆掺杂的钆镓石榴石晶体的温场包括同心嵌套的氧化锆内筒、氧化锆砂保温层与氧化铝外筒；温场设置在提拉炉之内。

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