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专利状态
一种低温共烧器件及低介共烧陶瓷膜片的制作方法
有效
专利申请进度
申请
2016-12-23
申请公布
2017-05-10
授权
2019-09-13
预估到期
2036-12-23
专利基础信息
申请号 CN201611204656.0 申请日 2016-12-23
申请公布号 CN106631045A 申请公布日 2017-05-10
授权公布号 CN106631045B 授权公告日 2019-09-13
分类号 C04B35/622;C03C10/00;H01F41/00
分类 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
申请人名称 深圳顺络电子股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园
专利法律状态
  • 2019-09-13
    授权
    状态信息
    授权
  • 2017-06-06
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):C04B35/622;申请日:20161223
  • 2017-05-10
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种低温共烧器件及低介共烧陶瓷膜片的制作方法,低介共烧陶瓷膜片的制作方法包括以下步骤:1)准备相对介电常数不高于5.8的低介陶瓷材料;2)在所述低介陶瓷材料中混入具有预定范围的高膨胀系数的低介介质;3)将混合粉进行预烧处理,得到低介共烧陶瓷材料,所述低介陶瓷材料的热膨胀系数与铁氧体材料、导电电极材料的差异处于预定范围内;4)将预烧后的混合粉进行制浆涂布,形成低介共烧陶瓷膜片。该方法能够提升不同材料间的共烧匹配性,大幅减少或防止共烧磁体缺陷,提升器件的可靠性能。