一种基于氮化铝基板的高频负载片及其制作方法

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专利状态

一种基于氮化铝基板的高频负载片及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-31

申请公布

2021-05-11

授权

2022-07-01

预估到期

2040-12-31

专利基础信息

申请号	CN202080003883.5	申请日	2020-12-31
申请公布号	CN112789764A	申请公布日	2021-05-11
授权公布号	CN112789764B	授权公告日	2022-07-01
分类号	H01P1/22
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳顺络电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙华区观澜街道大富苑工业区顺络观澜工业园

专利法律状态

2022-07-01

授权

状态信息

授权
2021-05-11

公布

状态信息

公布

摘要

一种基于氮化铝基板的高频负载片及其制作方法，该高频负载片包括氮化铝基板、第一面电极、第二面电极、电阻层以及背电极，第一面电极和第二面电极相互分离地形成在氮化铝基板的正面，第一面电极通过电阻层与第二面电极相连，背电极形成在氮化铝基板的背面，第二面电极通过形成在氮化铝基板的端面的电极端头与背电极相连。本发明的高频负载片可在10‑18GHz状态下满足相应的功率及电性要求，额定功率达20W，工作频率在10‑18GHz时具有较低的驻波比。而且，本发明的高频负载片可以匹配低频0‑10GHz工作频率。根据本发明的高频负载片的制作方法，可采用基于氮化铝基板的厚膜工艺来制作本发明的高频负载片，与传统的高频负载片的制作方法相比，本发明的制作工艺更为简单。

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