一种消除低温相偏硼酸钡晶体核心包裹的熔盐法生长方法

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专利状态

一种消除低温相偏硼酸钡晶体核心包裹的熔盐法生长方法

有效

专利申请进度

申请

2012-12-24

申请公布

2013-05-22

授权

2016-06-08

预估到期

2032-12-24

专利基础信息

申请号	CN201210565870.4	申请日	2012-12-24
申请公布号	CN103114327A	申请公布日	2013-05-22
授权公布号	CN103114327B	授权公告日	2016-06-08
分类号	C30B15/00;C30B29/22
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	福建福晶科技股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园

专利法律状态

2016-06-08

授权

状态信息

授权
2014-07-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/00申请日:20121224
2013-05-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及的是一种消除低温相偏硼酸钡晶体核心包裹的熔盐法生长方法，具体涉及通过在晶体生长过程中将晶体在垂直籽晶方向进行低频率和低振幅的振动，降低晶体与熔体之间的界面处扩散层的厚度，提高籽晶延伸下来的底部溶质输运能力，消除晶体中心部位（籽晶底部）的包裹，制备出无核心的晶体。

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