一种高质量BIBO晶体生长方法

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专利状态

一种高质量BIBO晶体生长方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-02

申请公布

2021-02-26

授权

2021-10-15

预估到期

2040-12-02

专利基础信息

申请号	CN202011383804.6	申请日	2020-12-02
申请公布号	CN112410868A	申请公布日	2021-02-26
授权公布号	CN112410868B	授权公告日	2021-10-15
分类号	C30B9/12;C30B29/22;G02F1/355
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	福建福晶科技股份有限公司
申请人地址	福建省福州市软件大道89号F区9号楼

专利法律状态

2021-10-15

授权

状态信息

授权
2021-05-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B9/12；申请日:20201202
2021-02-26

公布

状态信息

公布

摘要

一种高质量BIBO晶体生长方法，采用氧化铋和硼酸为原料，采用异形坩埚为生长装置，所述坩埚采用铂金材质，坩埚呈倒圆锥形；籽晶杆采用铂金材质，籽晶浸没熔体中，位于熔体中部；所述坩埚置于炉膛中部，所述炉膛坩埚位置的温度变化范围在1℃以内。本发明采用倒圆锥形的异形坩埚，优选内侧面具有小锯齿，坩埚斜面与竖直方向的夹角为30~45°，满足了BIBO晶体往下生长的需求，并且加强熔体的对流，提高了均匀性；有效降低外界温度波动对晶体生长的影响，保证晶体生长部位熔体的均匀性，充分搅拌熔体，以获得最佳晶体质量的BIBO晶体。

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