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专利状态
一种化合物薄膜及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2022-04-12
申请公布
2022-07-05
授权
2024-03-15
预估到期
2042-04-12
专利基础信息
申请号 CN202210383614.7 申请日 2022-04-12
申请公布号 CN114703461A 申请公布日 2022-07-05
授权公布号 CN114703461B 授权公告日 2024-03-15
分类号 C23C14/35;C23C14/58
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 浙江水晶光电科技股份有限公司
申请人地址 浙江省台州市椒江区星星电子产业区A5号(洪家后高桥村)
专利法律状态
  • 2024-03-15
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-07-05
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种化合物薄膜及其制备方法,涉及薄膜制备技术领域,本发明的化合物薄膜制备方法,包括:在衬底上磁控溅射形成单质薄膜层;将形成有单质薄膜层的衬底置于真空环境,向真空环境通入反应气体和氩气的混合气体对单质薄膜层进行第一电感耦合等离子体离子化,使得单质薄膜层转化为化合物薄膜层;向真空环境中通入氩气和氧气的混合气体对化合物薄膜层进行第二电感耦合等离子体离子化,氧气离子化形成的氧离子与化合物薄膜层表面的正电荷中和反应以使化合物薄膜层表面光洁,得到衬底上的表面光洁的化合物薄膜。本发明提供的化合物薄膜及其制备方法,能够中和薄膜上的正电荷,从而提高薄膜表面的光洁度。