一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法

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专利状态

一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-09

申请公布

2021-03-19

授权

2022-08-09

预估到期

2040-11-09

专利基础信息

申请号	CN202011242930.X	申请日	2020-11-09
申请公布号	CN112530695A	申请公布日	2021-03-19
授权公布号	CN112530695B	授权公告日	2022-08-09
分类号	H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30;H01G13/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	潮州三环（集团）股份有限公司
申请人地址	广东省潮州市凤塘镇三环工业城

专利法律状态

2022-08-09

授权

状态信息

授权
2021-03-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备方法，属于多层陶瓷电容器领域。本发明采用半成型工艺，降低了陶瓷芯片的形变，避免了介质层与内电极层之间以及介质层与介质层之间产生裂纹和脱层；通过表面印有内电极图案的PET离型膜转印电极，有效减少了内电极浆料中的有机溶剂对陶瓷介质的浸蚀。

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