提高闪存介质数据存取速度的方法

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专利状态

提高闪存介质数据存取速度的方法

有效

专利申请进度

申请

2008-03-11

申请公布

2009-09-16

授权

2014-07-16

预估到期

2028-03-11

专利基础信息

申请号	CN200810007361.3	申请日	2008-03-11
申请公布号	CN101533663A	申请公布日	2009-09-16
授权公布号	CN101533663B	授权公告日	2014-07-16
分类号	G11C7/10;G11C16/06;G11C16/20
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市朗科科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼

专利法律状态

2014-07-16

授权

状态信息

授权
2014-07-16

授权

状态信息

授权
2011-03-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G11C 7/10申请日:20080311
2009-09-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种提高闪存介质数据存取速度的方法，包括：获取闪存介质的闪存特性的步骤；接收写入配置参数的命令；执行写入配置参数的命令，将所述闪存特性写入内部信息记录表；写入用于控制数据存取的信息，对所述闪存介质格式化；根据配置参数绑定物理块的步骤；对绑定物理块进行数据操作的步骤。本发明提供的提高闪存介质数据存取速度的方法能将多片、多种类型、各种厂商的闪存介质统一起来，形成统一的通用管理模块进行配置管理，按照配置进行页和块的灵活逻辑绑定，最大限度地提高读写速度，提高存储装置主控的数据处理能力。

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