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专利状态

存储方法及存储设备

有效

专利申请进度

申请

2008-12-31

申请公布

2010-07-07

授权

2013-01-23

预估到期

2028-12-31

专利基础信息

申请号	CN200810187400.2	申请日	2008-12-31
申请公布号	CN101770426A	申请公布日	2010-07-07
授权公布号	CN101770426B	授权公告日	2013-01-23
分类号	G06F12/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	深圳市朗科科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼

专利法律状态

2013-01-23

授权

状态信息

授权
2011-07-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G06F 12/06申请日:20081231
2010-07-07

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供一种存储方法，用于存储设备，所述存储设备包括半导体存储介质，并设有空块池，所述方法包括：如果对所述半导体存储介质写数据的操作满足以下条件：1)从一逻辑块的起始页开始写数据，和2)要写入的数据大于或等于该逻辑块的逻辑容量，则建立该逻辑块与所述空块池中记录的空块之间的映射关系；和根据所述映射关系将数据写到该空块。本发明提高了半导体存储介质的写速度和使用寿命。

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