一种低功耗双列直插式存储器

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专利状态

一种低功耗双列直插式存储器

有效

专利申请进度

申请

2017-09-18

授权

2018-05-04

预估到期

2027-09-18

专利基础信息

申请号	CN201721200278.9	申请日	2017-09-18
授权公布号	CN207319696U	授权公告日	2018-05-04
分类号	G11C5/02;G11C5/14;G11C11/4074;G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14;G11C11/408;G11C11/409
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市江波龙电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区科发路8号金融基地1栋8楼

专利法律状态

2019-01-01

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更IPC(主分类):G11C 5/02变更前专利权人:深圳市江波龙电子有限公司地址:518057 广东省深圳市南山区科发路8号金融基地1栋8楼变更后专利权人:深圳市江波龙电子股份有限公司地址:518057 广东省深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1
2018-05-04

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型适用于电子领域，提供了一种低功耗双列直插式存储器，该存储器为可插拔双列直插式结构，兼容DDR内存接口，存储器基于低功耗内存芯片的DDR4 SO‑DIMM接口以信号完整性和电源完整性为原则做如下引脚分配：存储器的电源引脚和接地引脚通过对DDR4 SO‑DIMM接口的数据线、控制线和地址线的两端从新分配得到，使布线时数据线、控制线、地址线通过电源引脚和接地引脚隔离；存储器的电源引脚和接地引脚按一定的比例进行分配。本实用新型利用了现有的笔记本内存接口规格DDR4 SO‑DIMM，将LPDDR2/3/4定义在此接口规范上，实现低功耗、大容量以及即插即用的需求。

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