闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质

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专利状态

闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质

有效

专利申请进度

申请

2017-08-16

申请公布

2018-02-02

授权

2020-09-22

预估到期

2037-08-16

专利基础信息

申请号	CN201710703447.9	申请日	2017-08-16
申请公布号	CN107657984A	申请公布日	2018-02-02
授权公布号	CN107657984B	授权公告日	2020-09-22
分类号	G11C29/42
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市江波龙电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1

专利法律状态

2020-09-22

授权

状态信息

授权
2018-11-27

著录事项变更

状态信息

著录事项变更IPC(主分类):G11C 29/42变更前申请人:深圳市江波龙电子有限公司地址:518000 广东省深圳市南山区科发路8号金融基地1栋8楼变更后申请人:深圳市江波龙电子股份有限公司地址:518000 广东省深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1
2018-03-06

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G11C 29/42
2018-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明适用于电子通信技术领域，提供了一种闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，所述纠错方法包括：读取闪存的初始硬数据，所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据；读取所述闪存的调整硬数据，所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据，其中，所述窗口电压值调整至少2次；根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值；根据所述对数似然比LLR的值，对所述闪存的初始硬数据进行纠错。通过上述方法能够提高LDPC的纠错能力。

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