一种氧化亚硅负极材料及其制备方法

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专利状态

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2022-01-12

申请公布

2022-04-19

授权

2024-02-02

预估到期

2042-01-12

专利基础信息

申请号	CN202210033124.4	申请日	2022-01-12
申请公布号	CN114373915A	申请公布日	2022-04-19
授权公布号	CN114373915B	授权公告日	2024-02-02
分类号	H01M4/36;H01M4/48;H01M4/587
分类	基本电气元件;
申请人名称	万华化学集团股份有限公司
申请人地址	山东省烟台市经济技术开发区重庆大街59号

专利法律状态

2024-02-02

授权

状态信息

授权
2022-04-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种氧化亚硅负极材料及其制备方法。所述氧化亚硅负极材料具有以下特征：对其进行铜靶X射线衍射分析，可以确定其包含Si，Mg2SiO4，MgO晶体结构，位于22.8°的Mg2SiO4（021）晶面的衍射峰强Ia与位于42.7°的MgO（200）晶面的衍射峰强Ib的比满足1≤Ia/Ib≤3，优选1.5≤Ia/Ib≤2.5，位于28.4°的Si（111）晶面的半高宽Fa与Mg2SiO4（021）晶面的半高宽Fb满足1≤Fa/Fb≤3.5，优选1.5≤Fa/Fb≤3，且根据谢勒公式计算出的Si（111）晶面晶粒尺寸≤25nm。该负极材料具有较高的首效和较优的循环性能。

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