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专利状态
变频器、三相电抗器以及三相电抗器的绕线方法
有效
专利申请进度
申请
2020-10-19
申请公布
2021-02-12
授权
2022-04-26
预估到期
2040-10-19
专利基础信息
申请号 CN202011122643.5 申请日 2020-10-19
申请公布号 CN112366071A 申请公布日 2021-02-12
授权公布号 CN112366071B 授权公告日 2022-04-26
分类号 H01F27/30;H01F27/34;H01F41/098;H01F41/06
分类 基本电气元件;
申请人名称 深圳市英威腾电气股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区桃源街道长源社区学苑大道1001号南山智园A7栋501
专利法律状态
  • 2022-04-26
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-02-12
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种变频器、三相电抗器以及三相电抗器的绕线方法;其中,三相电抗器包括N根绕线柱、第一相绕组、第二相绕组以及第三相绕组,每一相绕组具有N个绕线段,每一绕线段绕设至一所述绕线柱上;每一相绕组的入线端在N根所述绕线柱上交错设置,且每一相绕组在绕设至其入线端所在的绕线柱的绕制方向与绕设至其它绕线柱的绕线方向相反。本发明解决了磁材因直流偏置导致的三相感量随工频瞬时电流变化而变化,并最终导致无法三相磁集成的问题,实现了将铁硅、铁硅铝等适用于高频的磁芯应用于三相集成式电抗器。