门极主动控制电路、方法及SiCMOSFET门极主动控制系统

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专利状态

门极主动控制电路、方法及SiCMOSFET门极主动控制系统

有效

专利申请进度

申请

2020-10-30

申请公布

2021-08-06

授权

2022-08-23

预估到期

2040-10-30

专利基础信息

申请号	CN202080002583.5	申请日	2020-10-30
申请公布号	CN113228484A	申请公布日	2021-08-06
授权公布号	CN113228484B	授权公告日	2022-08-23
分类号	H02M1/08
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	深圳市英威腾电气股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市光明区马田街道松白路英威腾光明科技大厦

专利法律状态

2022-08-23

授权

状态信息

授权
2021-08-06

公布

状态信息

公布

摘要

一种门极主动控制电路、方法及SiC MOSFET门极主动控制系统，包括可编程模块、电位计模块、4选1模拟开关和门极电流调控电路；可编程模块的输出端与半导体开关器件的门极连接，电位计模块的输入端连接电源电压端，电位计模块的输出端与4选1模拟开关的输入端连接，可编程模块的控制端与4选1模拟开关的受控端连接，4选1模拟开关的输出端与门极电流调控电路的输入端连接，门极电流调控电路的输出端与半导体开关器件的门极连接。通过可编程模块、电位计模块、4选1模拟开关和门极电流调控电路的控制，配置为对半导体开关器件进行开通暂态调控、关断暂态调控、软关断调控；降低门极主动控制电路的硬件成本、调试复杂度，同时提升了控制灵活性、可靠性。

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