一种半桥IGBT模块的芯片布局结构

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专利状态

一种半桥IGBT模块的芯片布局结构

有效

专利申请进度

申请

2019-07-02

申请公布

2021-01-05

授权

2023-04-07

预估到期

2039-07-02

专利基础信息

申请号	CN201910589696.9	申请日	2019-07-02
申请公布号	CN112185950A	申请公布日	2021-01-05
授权公布号	CN112185950B	授权公告日	2023-04-07
分类号	H01L25/18;H01L23/49
分类	基本电气元件;
申请人名称	国电南瑞科技股份有限公司
申请人地址	江苏省南京市江宁经济技术开发区诚信大道19号2幢

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2021-01-05

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种半桥IGBT模块的芯片布局结构，包括上桥IGBT芯片和下桥IGBT芯片分别与FRD芯片通过键合线组实现芯片正面连接，栅极均位于IGBT芯片的左侧位置，上桥FRD芯片和下桥FRD芯片反面均焊接于上桥DCB衬底上；下桥IGBT芯片栅极均位于IGBT芯片的右侧位置，上、下半桥的IGBT芯片与FRD芯片分别关于模块呈中心对称分布。上、下半桥信号端子键合线的落点分别在上、下半桥的栅极信号铜层上，其落点位于在栅极信号铜层上的非相邻两颗IGBT芯片的栅极键合线落点的中间位置。通过仿真得出，本发明的三颗IGBT芯片的峰值电流差异率由30％降低至9.3％，使芯片的均流性能得到提升；芯片最大峰值电流的降低减小了开通电流对芯片的冲击，有利于芯片的长期稳定运行。

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