一种在半导体器件中形成场截止层的方法

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专利状态

一种在半导体器件中形成场截止层的方法

有效

专利申请进度

申请

2015-08-21

申请公布

2015-12-30

授权

2018-01-12

预估到期

2035-08-21

专利基础信息

申请号	CN201510516091.9	申请日	2015-08-21
申请公布号	CN105206516A	申请公布日	2015-12-30
授权公布号	CN105206516B	授权公告日	2018-01-12
分类号	H01L21/265;H01L29/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	中国东方电气集团有限公司
申请人地址	四川省成都市金牛区蜀汉路333号

专利法律状态

2018-01-12

授权

状态信息

授权
2016-01-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20150821
2015-12-30

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及半导体器件领域，具体为一种在半导体器件中形成场截止层的方法包括：A）选取一种半导体器件，包括第一导电类型半导体基板。B）从第一导电类型半导体基板的背面进行质子注入。C）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第一半导体区域。D）从第一导电类型半导体基板的背面进行离子注入。E）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第二半导体区域。本发明不仅能够达到场截止层的相对于半导体基板的浓度要求，也能够达到场截止层相对于半导体器件背表面的深度要求，同还避免了在场截止层的形成过程中对器件正面结构的影响。

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