一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构

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专利状态

一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构

有效

专利申请进度

申请

2015-08-21

申请公布

2015-12-16

授权

2018-05-18

预估到期

2035-08-21

专利基础信息

申请号	CN201510516409.3	申请日	2015-08-21
申请公布号	CN105161520A	申请公布日	2015-12-16
授权公布号	CN105161520B	授权公告日	2018-05-18
分类号	H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中国东方电气集团有限公司
申请人地址	四川省成都市金牛区蜀汉路333号

专利法律状态

2018-05-18

授权

状态信息

授权
2016-01-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20150821
2015-12-16

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及半导体器件领域，具体为一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，包括金属导电层，金属导电层的一侧设置有衬底，衬底上设置有多个沟槽，衬底的一侧设置有耗尽区，耗尽区一侧设置有电位V1，沟槽一侧的金属导电层上设置有电位V2；各沟槽内设置有沟槽导电填充物，在所述沟槽的侧壁和底部设置有绝缘层，各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区。本发明是通过器件结构设计来实现场截止的，彻底摆脱了现有技术所采用的掺杂方法所固有的扩散深度有限、高温过程影响器件其他结构以及工艺受限等缺点。并且本发明中的场截止功能是通过沟槽的场效应来实现的，该效应具有随电场增强而增强的自适应特性。

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