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专利状态
量子点-半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件
有效
专利申请进度
申请
2021-12-10
申请公布
2022-03-15
授权
2024-03-12
预估到期
2041-12-10
专利基础信息
申请号 CN202111506283.3 申请日 2021-12-10
申请公布号 CN114188490A 申请公布日 2022-03-15
授权公布号 CN114188490B 授权公告日 2024-03-12
分类号 H10K50/115;H10K71/12;C09K11/88;C09K11/70;C09K11/66;C09K11/56;C09K11/02
分类 基本电气元件;
申请人名称 京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 北京市朝阳区酒仙桥路10号
专利法律状态
  • 2024-03-12
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-04-01
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L51/50;申请日:20211210
  • 2022-03-15
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本公开提供了一种量子点‑半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件,属于量子点技术领域。该量子点‑半导体复合膜层包括多个量子点、以及由半导体阳离子和半导体阴离子形成的半导体填充材料;所述半导体阳离子或所述半导体阴离子与所述量子点的表面的阴离子或阳离子形成离子键,形成的所述半导体填充材料填充于相邻所述量子点之间的间隙内。本公开有助于提高量子点‑半导体复合膜层的致密性,改善膜层表面的不平整性,进而提升该膜层与下层功能层之间的界面接触质量,提升载流子的传输能力。