移相器及其制备方法、天线

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专利状态

移相器及其制备方法、天线

有效

专利申请进度

申请

2021-01-29

申请公布

2022-10-04

授权

2024-03-15

预估到期

2041-01-29

专利基础信息

申请号	CN202180000093.6	申请日	2021-01-29
申请公布号	CN115152089A	申请公布日	2022-10-04
授权公布号	CN115152089B	授权公告日	2024-03-15
分类号	H01P1/18;B81B7/02;B81C1/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	京东方科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号

专利法律状态

2024-03-15

授权

状态信息

授权
2022-10-04

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种移相器及其制备方法、天线，属于通信技术领域。本发明提供的一种移相器，包括第一基板，设置在第一基板上的信号线和参考线，设置在信号线上的第一绝缘层，和设置在第一绝缘层背离信号线一侧的多个电极膜桥以及设置在绝缘层上的第一传输结构，其与信号线电连接，且第一传输结构在第一基板上的正投影，与多个电极膜桥在第一基板上的正投影无重叠。由于设置了第一传输结构，因此能够阻隔射频信号对直流偏置电压的影响，从而能够保证移相器的低插损性能，提高移相器的稳定性。

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