MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器

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专利状态

MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器

有效

专利申请进度

申请

2012-12-07

申请公布

2013-04-17

授权

2016-03-23

预估到期

2032-12-07

专利基础信息

申请号	CN201210523891.X	申请日	2012-12-07
申请公布号	CN103049217A	申请公布日	2013-04-17
授权公布号	CN103049217B	授权公告日	2016-03-23
分类号	G06F3/06;G06F12/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	记忆科技（深圳）有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头东南工贸大厦5楼

专利法律状态

2016-03-23

授权

状态信息

授权
2013-05-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G06F 3/06申请日:20121207
2013-04-17

公布

状态信息

公开

摘要

本发明适用于存储技术领域，提供了一种MLC?NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器，用以将MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，该读写控制方法包括：将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；对MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。借此，本发明能将MLCNAND型固态硬盘仿真为SLC?NAND型固态硬盘，提高了MLC?NAND型固态硬盘的性能。

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