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专利状态

一种具有存储控制器的DRAM

有效

专利申请进度

申请

2014-07-25

申请公布

2014-11-12

授权

2017-11-07

预估到期

2034-07-25

专利基础信息

申请号	CN201410359421.3	申请日	2014-07-25
申请公布号	CN104143356A	申请公布日	2014-11-12
授权公布号	CN104143356B	授权公告日	2017-11-07
分类号	G11C11/4063;G11C29/42
分类	信息存储;
申请人名称	记忆科技（深圳）有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F

专利法律状态

2017-11-07

授权

状态信息

授权
2014-12-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/4063申请日:20140725
2014-11-12

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种具有存储控制器的DRAM，外部数据总线与系统数据线相连接，内部与ECC检验和纠错模块相连接，ECC检验和纠错模块进一步与主数据DRAM模组的数据线相连接，ECC检验和纠错模块完成对写入的数据进行ECC编码，对读取出的数据进行ECC解码；DRAM参数存储模块内部与地址重映射模块相连结，DRAM参数存储模块通过独立的数据接口与系统相连接；外部地址总线对外与系统地址线相连接，内部先与地址重映射模块相连，再连接延时模块，最后与内部DRAM的地址线相连接；外部命令总线先与延时模块连接，再与内部主数据DRAM的命令总线相连接。通过增加了ECC检验、纠错模块和地址重映射模块，利用地址重映射模块上连接的DRAM存储ECC检验和纠错信息，整体上降低了DRAM的不良率。

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