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专利状态
一种NAND FLASH模拟器的实现方法
有效
专利申请进度
申请
2016-12-29
申请公布
2017-05-17
授权
2019-07-12
预估到期
2036-12-29
专利基础信息
申请号
CN201611249702.9
申请日
2016-12-29
申请公布号
CN106681893A
申请公布日
2017-05-17
授权公布号
CN106681893B
授权公告日
2019-07-12
分类号
G06F11/34;G06F11/10
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址
广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F
专利法律状态
2019-07-12
授权
状态信息
授权
2017-06-09
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F11/34;申请日:20161229
2017-05-17
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种NAND FLASH模拟器的实现方法,其特征在于在硬盘中根据待模拟的NAND FLASH的块数目创建相同数目的文件夹,每个文件夹模拟一个块,文件夹以块号进行命名;根据每个块包含的页数目在每个文件夹中创建相同数目的文件,文件以页号进行命名,每个文件的大小按照待模拟的NAND FLASH的页大小进行设置,每个文件按照NAND FLASH的页存储结构分为data区和spare区。通过在硬盘中按照NAND FLASH的物理存储结构创建与其对应的文件夹和文件,通过对文件访问设置不同的条件来模拟NAND FLASH的读写特性,NAND FLASH的特性考虑周全,且测试系统死机或异常掉电所有NAND FLASH数据现场都会保留,利于问题原因查找与分析。
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