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专利状态
一种NAND FLASH模拟器的实现方法
有效
专利申请进度
申请
2016-12-29
申请公布
2017-05-17
授权
2019-07-12
预估到期
2036-12-29
专利基础信息
申请号 CN201611249702.9 申请日 2016-12-29
申请公布号 CN106681893A 申请公布日 2017-05-17
授权公布号 CN106681893B 授权公告日 2019-07-12
分类号 G06F11/34;G06F11/10
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F
专利法律状态
  • 2019-07-12
    授权
    状态信息
    授权
  • 2017-06-09
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G06F11/34;申请日:20161229
  • 2017-05-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种NAND FLASH模拟器的实现方法,其特征在于在硬盘中根据待模拟的NAND FLASH的块数目创建相同数目的文件夹,每个文件夹模拟一个块,文件夹以块号进行命名;根据每个块包含的页数目在每个文件夹中创建相同数目的文件,文件以页号进行命名,每个文件的大小按照待模拟的NAND FLASH的页大小进行设置,每个文件按照NAND FLASH的页存储结构分为data区和spare区。通过在硬盘中按照NAND FLASH的物理存储结构创建与其对应的文件夹和文件,通过对文件访问设置不同的条件来模拟NAND FLASH的读写特性,NAND FLASH的特性考虑周全,且测试系统死机或异常掉电所有NAND FLASH数据现场都会保留,利于问题原因查找与分析。