一种光模块劣化测试方法、系统、设备和存储介质

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专利状态

一种光模块劣化测试方法、系统、设备和存储介质

有效

专利申请进度

申请

2019-12-12

申请公布

2021-06-18

授权

2024-02-23

预估到期

2039-12-12

专利基础信息

申请号	CN201911273288.9	申请日	2019-12-12
申请公布号	CN112994786A	申请公布日	2021-06-18
授权公布号	CN112994786B	授权公告日	2024-02-23
分类号	H04B10/079
分类	电通信技术;
申请人名称	中兴通讯股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦

专利法律状态

2024-02-23

授权

状态信息

授权
2022-10-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H04B10/079；申请日:20191212
2021-06-18

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提出一种光模块劣化测试方法、系统、设备和存储介质。该方法包括：根据预先采集的待测光模块的H偏振态误码计数和V偏振态误码计数确定对应的H偏振态误码率和V偏振态误码率；根据H偏振态误码率和V偏振态误码率确定对应的H偏振态误码卡方表征量和V偏振态误码卡方表征量；根据H偏振态误码卡方表征量和V偏振态误码卡方表征量确定偏振态信号质量差异表征量；根据偏振态信号质量差异表征量确定待测光模块的劣化程度。

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