异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用

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专利状态

异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用

有效

专利申请进度

申请

2022-02-28

申请公布

2022-06-10

授权

2023-10-31

预估到期

2042-02-28

专利基础信息

申请号	CN202210188205.1	申请日	2022-02-28
申请公布号	CN114613546A	申请公布日	2022-06-10
授权公布号	CN114613546B	授权公告日	2023-10-31
分类号	H01B13/00;H01B5/14;G03B17/55
分类	基本电气元件;
申请人名称	浙江大华技术股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨江区滨安路1187号

专利法律状态

2023-10-31

授权

状态信息

授权
2022-06-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01B13/00；申请日:20220228
2022-06-10

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用，其制备方法包括如下步骤：提供透明的异形基体，并将所述异形基体进行活化处理；将活化后的所述异形基体置于银纳米线分散液中，使所述异形基体的表面形成网状结构的银纳米线层，得到预制件，其中，所述银纳米线分散液包括银纳米线、巯基硅氧烷以及极性溶剂；以及，将所述预制件置于多孔二氧化硅分散液中，于所述银纳米线层的表面形成多孔二氧化硅层，得到异形基透明导电薄膜。该制备方法可以在异形基体的表面形成均匀的银纳米线层，并显著提高银纳米线层与异形基体的结合力，同时还能提高异形基透明导电薄膜的透光率，使其能够广泛应用于摄像机等领域。

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