一种应用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路

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专利状态

一种应用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路

有效

专利申请进度

申请

2020-06-17

申请公布

2020-09-22

授权

2024-03-12

预估到期

2040-06-17

专利基础信息

申请号	CN202010552722.3	申请日	2020-06-17
申请公布号	CN111697957A	申请公布日	2020-09-22
授权公布号	CN111697957B	授权公告日	2024-03-12
分类号	H03K17/567
分类	基本电子电路;
申请人名称	上海电气集团股份有限公司
申请人地址	上海市长宁区兴义路8号30层

专利法律状态

2024-03-12

授权

状态信息

授权
2020-10-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H03K17/567；申请日:20200617
2020-09-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种应用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动电路，所述电路包括：驱动电路包括脉冲源电路、第一功率放大电路及第二功率放大电路，其中：脉冲源电路，用于分别向第一功率放大电路和第二功率放大电路提供脉冲电压；第一功率放大电路，用于将脉冲电压放大第一倍数后输入到IGBT的栅极；第二功率放大电路，用于在IGBT的集电极电流处于第一阶段和第三阶段时，对脉冲电压放大第二倍数后输入到IGBT的栅极。利用本发明提供的驱动电路可以实现对IGBT开通过程的优化控制，通过对IGBT的不同时期的状态进行优化处理，以减小其开通时间和开关损耗。

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